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CVD摻硫金剛石薄膜的應(yīng)力研究
以[CH/H2/Ar/H2S]為工作氣體,采用輝光等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),對摻硫金剛石薄膜的應(yīng)力進行了研究,結(jié)果表明:在典型的摻硫金剛石薄膜制備工藝條件下,隨著硫碳比的增加,總應(yīng)力和本征應(yīng)力星減小趨勢,在硫碳體積比RS/C=4.2×10-3時,總應(yīng)力有最大值23GPa;在R S/C=6.5×10-3時,本征應(yīng)力可以抵消熱應(yīng)力,而使總應(yīng)力的絕對值最小,在此條件下所合成的金剛石薄膜與襯底的附著性較好,有利于金剛石薄膜的穩(wěn)定生長.分析認為金剛石薄膜的晶粒邊界密度,sp2碳相等雜質(zhì)分別是產(chǎn)生張力、壓力的主要原因.
南景宇(張家口師范?茖W(xué)校物理系,河北,張家口,075000)
刊 名: 中國激光 ISTIC EI PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF LASERS 年,卷(期): 2004 31(z1) 分類號: O484 關(guān)鍵詞: 薄膜物理學(xué) 化學(xué)氣相沉積 金剛石薄膜 摻雜 應(yīng)力【CVD摻硫金剛石薄膜的應(yīng)力研究】相關(guān)文章:
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