CVD摻硫金剛石薄膜的應(yīng)力研究

以[CH/H2/Ar/H2S]為工作氣體,采用輝光等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),對摻硫金剛石薄膜的應(yīng)力進行了研究,結(jié)果表明:在典型的摻硫金剛石薄膜制備工藝條件下,隨著硫碳比的增加,總應(yīng)力和本征應(yīng)力星減小趨勢,在硫碳體積比RS/C=4.2×10-3時,總應(yīng)力有最大值23GPa;在R S/C=6.5×10-3時,本征應(yīng)力可以抵消熱應(yīng)力,而使總應(yīng)力的絕對值最小,在此條件下所合成的金剛石薄膜與襯底的附著性較好,有利于金剛石薄膜的穩(wěn)定生長.分析認為金剛石薄膜的晶粒邊界密度,sp2碳相等雜質(zhì)分別是產(chǎn)生張力、壓力的主要原因.

作 者： 趙慶勛 王永杰 南景宇 楊景發(fā) 閆正   作者單位： 趙慶勛,王永杰,楊景發(fā),閆正(河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,河北,保定,071002)

南景宇(張家口師范�？茖W(xué)校物理系,河北,張家口,075000) 

刊 名： 中國激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS  年，卷(期)： 2004 31(z1)  分類號： O484  關(guān)鍵詞： 薄膜物理學(xué)   化學(xué)氣相沉積   金剛石薄膜   摻雜   應(yīng)力  

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