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RF濺射ZnO薄膜工藝與結(jié)構(gòu)研究
通過RF磁控濺射在Si(100)基片上制備了ZnO薄膜,并研究了磁控濺射中各生長參數(shù),如襯底溫度、氧分壓及后處理工藝等因素對ZnO薄膜微結(jié)構(gòu)、表面形貌與結(jié)晶取向的影響.結(jié)果表明:濺射溫度和氧分壓對薄膜的微結(jié)構(gòu)與擇優(yōu)取向有很大的影響,并對不同的濺射工藝進(jìn)行了分析比較,從而確定了最佳濺射及后處理?xiàng)l件:RF濺射溫度小于300℃,功率為50 W,ψ(Ar:O2)為20:5,退火溫度550~600℃,并獲得了c軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜.
作 者: 陳祝 張樹人 楊成韜 陳富貴 董加和 王升 CHEN Zhu ZHANG Shu-ren YANG Cheng-tao CHEN Fu-gui DONG Jia-he WANG Sheng 作者單位: 陳祝,CHEN Zhu(成都信息工程學(xué)院通信工程系,四川,成都,610225)張樹人,楊成韜,陳富貴,董加和,王升,ZHANG Shu-ren,YANG Cheng-tao,CHEN Fu-gui,DONG Jia-he,WANG Sheng(電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院,四川,成都,610054)
刊 名: 電子元件與材料 ISTIC PKU 英文刊名: ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS 年,卷(期): 2006 25(7) 分類號: N304.2 O484.1 TB43 關(guān)鍵詞: 無機(jī)非金屬材料 ZnO薄膜 RF磁控濺射 氧分壓 擇優(yōu)取向【RF濺射ZnO薄膜工藝與結(jié)構(gòu)研究】相關(guān)文章:
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