硅襯底上Zn1-xMgxO薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)

采用脈沖激光法(PLD)在Si襯底上沉積Zn1-xMgxO薄膜.x射線衍射(XRD)表明薄膜為c軸取向,(002)峰的半高寬僅為0.211°,且沒有MgO的相偏析.透射電子顯微鏡可以清楚看到Zn1-xMgxO薄膜的c軸擇優(yōu)取向.在選區(qū)電子衍射圖中可以看到Zn1-xMgxO結(jié)晶薄膜整齊的衍射斑點(diǎn).室溫下對Zn1-xMgxO薄膜進(jìn)行了光致熒光光譜分析,發(fā)現(xiàn)其帶邊發(fā)射峰相對ZnO晶體有0.4eV的藍(lán)移,帶邊發(fā)射峰與雜質(zhì)發(fā)射峰的強(qiáng)度之比高達(dá)159.Zn1-xMgxO結(jié)晶薄膜質(zhì)量良好,顯示了應(yīng)用于光電器件的潛力.

作 者： 鄒璐 汪雷 黃靖云 趙炳輝 葉志鎮(zhèn)   作者單位： 浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,杭州,310027  刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(4)  分類號： O4  關(guān)鍵詞： Zn1-xMgxO合金薄膜   硅襯底   脈沖激光沉積法   c軸取向   光致熒光光譜  

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