AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的極化工程

從自洽求解薛定諤方程和泊松方程出發(fā),研究了AlGaN/GaN量子阱電子氣密度隨Al組份比、勢壘層厚度和柵壓的變化,比較了能帶帶階和極化電荷對(duì)溝道阱能帶和電子氣特性的影響,研究了在勢壘層和緩沖層中夾入AlN及InGaN薄層的作用,計(jì)算了AlGaN/GaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)的能帶,最后探討了勢壘層能帶的優(yōu)化設(shè)計(jì),提出了剪裁勢壘層能帶來鈍化表面的新方法.

作 者： 薛舫時(shí) XUE Fangshi   作者單位： 單片集成電路與模塊國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京電子器件研究所,南京,210016  刊 名： 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展  ISTIC PKU 英文刊名： RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS  年，卷(期)： 2008 28(3)  分類號(hào)： O484  關(guān)鍵詞： 鋁鎵氮、氮化鎵異質(zhì)結(jié)   極化摻雜   能帶剪裁   表面鈍化新方案  

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