MgB2超導體含碳摻雜研究進展

MgB2超導體具有臨界轉變溫度39 K、原材料廉價及制備工藝簡單等優(yōu)點,被認為是MRI中已用超導體最好的替代者.但是臨界電流密度(Jc)隨外加磁場增大下降較快的這一問題極大的阻礙了其實際中的應用.實驗結果表明:采取摻雜的方法來提高MgB2的超導電性尤其是高場下Jc值是一條有效的途徑,本文概述了用單質碳和含碳化合物對MgB2超導體進行摻雜從而提高其超導特性的最新研究工作,具體介紹了摻雜物顆粒大小、摻雜量以及燒結溫度等參數對MgB2超導電性的影響.研究表明:在碳單質摻雜中納米級碳顆粒和碳納米管具有比較好的摻雜性能,可以大幅度提高高場下的Jc值;在含碳化合物中,用納米級SiC進行摻雜不僅可以大幅度提高高場下的Jc值,而且相比碳單質有更高的Tc值.根據目前的研究結果,最后本文對MgB2超導體摻雜研究的未來發(fā)展趨勢進行了展望.

作 者： 張子立 索紅莉 馬麟 高培闊 王朝 劉敏 曹玲柱 趙躍 李亞明 周美玲 ZHANG Zi-li SUO Hong-li MA Lin CAO Pei-kuo WANG Zhao LIU Min CAO Ling-zhu ZHAO Yue LI Ya-ming ZHOU Mei-ling   作者單位： 北京工業(yè)大學材料學院,國家教育部功能材料重點實驗室,北京,100022  刊 名： 低溫物理學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年，卷(期)： 2008 30(3)  分類號： O51  關鍵詞： MsB2超導體   臨界電流密度Jc   含碳摻雜  

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