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巨磁電阻錳氧化物材料的低溫電阻率行為的研究
對(duì)巨磁電阻錳氧化物材料La2/3Ca1/3MnO3/YSZ(釔穩(wěn)定氧化鋯)(LCMO/YSZ)系列樣品低溫下電阻率行為進(jìn)行研究,低溫下電阻率行為一般是ρ=ρ0+ATa+BTb的形式,其中ρ0為剩余電阻率,a=2或3/2,b=5或9/2.T2代表電子-電子散射項(xiàng),T3/2代表被無序自旋玻璃散射的電子項(xiàng),T6代表電子.聲子散射項(xiàng),Tθ/2們代表電子-雙磁子散射項(xiàng).在此指出b=5是合理的,代表電子-聲子散射項(xiàng).
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