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生長(zhǎng)條件和退火對(duì)金剛石薄膜光學(xué)性質(zhì)的影響
提出一種分析微波等離子體化學(xué)氣相沉積工藝條件對(duì)金剛石薄膜的組成和光學(xué)性質(zhì)影響的方法.采用紅外橢圓偏振光譜儀來(lái)分析Si襯底上金剛石薄膜的組成和光學(xué)性質(zhì),研究微波等離子體化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)條件和退火工藝對(duì)金剛石薄膜的消光系數(shù)和折射率的影響.實(shí)驗(yàn)表明金剛石薄膜中存在C-H、C=C、O-H和C=O鍵,生長(zhǎng)條件對(duì)薄膜中C-H和C=C鍵的含量及薄膜的折射率影響較大;薄膜經(jīng)過(guò)退火后薄膜的光學(xué)性質(zhì)得到明顯改善.
作 者: 馬哲國(guó) 夏義本 王林軍 方志軍 張偉麗 張明龍 作者單位: 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,上海,201800 刊 名: 光學(xué)學(xué)報(bào) ISTIC EI PKU 英文刊名: ACTA OPTICA SINICA 年,卷(期): 2003 23(8) 分類號(hào): O484.1 關(guān)鍵詞: 薄膜光學(xué) 微波等離子體化學(xué)氣相沉積 金剛石薄膜 光學(xué)性質(zhì) 紅外橢圓偏振光譜【生長(zhǎng)條件和退火對(duì)金剛石薄膜光學(xué)性質(zhì)的影響】相關(guān)文章:
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