金屬摻雜多孔硅薄膜的制備及熒光光譜研究

用電化學(xué)方法對多孔硅薄膜進行了金屬摻雜.用熒光分光光度計分析了樣品的光致發(fā)光特性,結(jié)果表明,適量的金屬摻雜增強了多孔硅的紅光發(fā)射,氧化性金屬摻雜還增強了多孔硅的藍光發(fā)射,還原性金屬摻雜卻無此現(xiàn)象.紅外吸收譜表明,金屬摻雜多孔硅后Si-O-Si鍵振動增強.XRD譜表明,氧化性金屬摻雜后多孔硅的無定形程度增強.對分析結(jié)果的解釋為:紅光增強是金屬摻雜引入新的缺陷和硅、氧、金屬間新的鍵態(tài)Si-Metal,Metal-O,Metal-Metal所致,而藍光增強是無定形程度增強,應(yīng)力增大和進一步氧化所致.

作 者： 孫小菁 馬書懿 魏晉軍 徐小麗 SUN Xiao-jing MA Shu-yi WEI Jin-jun XU Xiao-li   作者單位： 西北師范大學(xué),物理與電子工程學(xué)院,甘肅,蘭州,730070  刊 名： 西北師范大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF NORTHWEST NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)  年，卷(期)： 2007 43(6)  分類號： O469 TB383  關(guān)鍵詞： 金屬摻雜多孔硅   電化學(xué)   光致發(fā)光   X射線衍射   紅外吸收  

【金屬摻雜多孔硅薄膜的制備及熒光光譜研究】相關(guān)文章：

摻雜納米硅薄膜的生長特性04-29

激光誘導(dǎo)多孔硅晶格畸變的Raman光譜和光致發(fā)光譜研究04-29

納米ZnO薄膜制備及液態(tài)源摻雜04-27

多孔硅整流特性研究04-28

辛酸TSEPIP熒光衍生物制備及熒光光譜研究與分析應(yīng)用04-29

脈沖腐蝕法制備的多孔硅對乙醇氣體的響應(yīng)04-28

多孔硅鍺的制備及其近紅外發(fā)光增強04-28

鈰-明膠多孔支架的制備研究04-29

用脈沖電化學(xué)法在低HF濃度下制備多孔硅的研究04-27

稀土摻雜BAP玻璃的制備及性能研究04-28