高能電子輻照對航天器介質(zhì)材料介電性能的影響

文章選取了航天器上兩種常用介質(zhì)材料--FR-4環(huán)氧電路板和聚四氟乙烯為對象,研究了高能電子輻照對兩種材料介電性能的影響和變化規(guī)律.結(jié)果顯示,在高能電子輻照后,FR-4環(huán)氧電路板的固有電導率和介電常數(shù)εr降低,介電損耗tanδ略有上升;而聚四氟乙烯的固有電導率和介電常數(shù)εr上升,介電損耗tanδ下降.在此基礎(chǔ)上,進一步分析了材料介電性能受高能電子輻照影響的物理機制.

作 者： 張超 易忠 唐小金 鄭曉泉 秦曉剛 孟立飛   作者單位： 張超,易忠,唐小金,孟立飛(北京衛(wèi)星環(huán)境工程研究所,北京,100094)

鄭曉泉(西安交通大學,電力設(shè)備電氣絕緣國家重點實驗室,西安,710049)

秦曉剛(蘭州物理研究所,蘭州,730000) 

刊 名： 航天器環(huán)境工程  ISTIC 英文刊名： SPACECRAFT ENVIRONMENT ENGINEERING  年，卷(期)： 2009 26(z1)  分類號： V416.5  關(guān)鍵詞： 電子輻照   介質(zhì)材料   電導率   介電性能  

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