奇碼筆試題
一,填空
1,集成電路的分類(lèi),按材料,
工藝2,集成電阻的計(jì)算,以及其制造工藝
3,Vtp,Vtn的正負(fù)判斷,分別對(duì)于增強(qiáng)型和耗盡型
4,CMOS電路功耗包括哪兩個(gè)部分,功耗設(shè)計(jì)主要考慮的因素……(還有幾道不記得了)
二,填表全定制,門(mén)陣列,F(xiàn)PGA各自單元模塊,連線的性質(zhì)……
三,填圖CMOS工藝流程填圖畫(huà)圖四,問(wèn)答
1,CMOS單元負(fù)載較大的.電容時(shí),只有提高W,這樣會(huì)使W*L增加,相對(duì)前級(jí)又時(shí)一個(gè)大電容,如何解決這一矛盾?
2,結(jié)合軟件談?wù)勅ㄖ萍呻娐吩O(shè)計(jì)流程
3,談?wù)剬?duì)Layout設(shè)計(jì)的看法五,翻版圖或者畫(huà)版圖,選一
第二卷
1,什么時(shí)格雷碼?
2,Nyquist采樣定例
3,球一米高落下,每次探起一半,求路程和重力做功4,運(yùn)算放大器1,…………2,有幾級(jí),各級(jí)之間耦合方式有幾種,分析各種的優(yōu)劣,
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