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一，填空1，集成電路的分類，按材料，工藝2，集成電阻的計算，以及其制造工藝3，Vtp，Vtn的正負(fù)判斷，分別對于增強(qiáng)型和耗盡型4，CMOS電路功耗包括哪兩個部分，功耗設(shè)計主要考慮的因素……（還有幾道不記得了）二，填表全定制，門陣列，F(xiàn)PGA各自單元模塊，連線的性質(zhì)……三，填圖CMOS工藝流程填圖畫圖四，問答1，CMOS單元負(fù)載較大的電容時，只有提高W，這樣會使W*L增加，相對前級又時一個大電容，如何解決這一矛盾？2，結(jié)合軟件談?wù)勅ㄖ萍呻娐吩O(shè)計流程3，談?wù)剬ayout設(shè)計的看法五，翻版圖或者畫版圖，選一第二卷1，什么時格雷碼？2，Nyquist采樣定例3，球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功4，運算放大器1，…………2，有幾級，各級之間耦合方式有幾種，分析各種的優(yōu)劣，筆試題目和大家分享一下！
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