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內存·什么是CL設置
內存負責向CPU提供運算所需的原始數(shù)據(jù)，而目前CPU運行速度超過內存數(shù)據(jù)傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內存提供數(shù)據(jù)，這就是常說的“CPU等待時間”。內存?zhèn)鬏斔俣仍铰珻PU等待時間就會越長，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內存是有效提升CPU效率和整機性能的關鍵之一。
在實際工作時，無論什么類型的內存，在數(shù)據(jù)被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進行必要的通信，而這種就會造成傳輸?shù)囊欢ㄑ舆t時間。CL設置一定程度上反映出了該內存在CPU接到讀取內存數(shù)據(jù)的指令后，到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時間。不難看出同頻率的內存，CL設置低的更具有速度優(yōu)勢。
上面只是給大家建立一個基本的CL概念，而實際上內存延遲的基本因素絕對不止這些。內存延遲時間有個專門的術語叫“Latency”。要形象的了解延遲，我們不妨把內存當成一個存儲著數(shù)據(jù)的數(shù)組，或者一個EXCEL表格，要確定每個數(shù)據(jù)的位置，每個數(shù)據(jù)都是以行和列編排序號來標示，在確定了行、列序號之后該數(shù)據(jù)就唯一了。內存工作時，在要讀取或寫入某數(shù)據(jù)，內存控制芯片會先把數(shù)據(jù)的列地址傳送過去，這個RAS信號（Row Address Strobe，行地址信號）就被激活，而在轉化到行數(shù)據(jù)前，需要經(jīng)過幾個執(zhí)行周期，然后接下來CAS信號（Column Address Strobe，列地址信號）被激活。在RAS信號和CAS信號之間的幾個執(zhí)行周期就是RAS-to-CAS延遲時間。在CAS信號被執(zhí)行之后同樣也需要幾個執(zhí)行周期。此執(zhí)行周期在使用標準PC133的SDRAM大約是2到3個周期；而DDR RAM則是4到5個周期。在DDR中，真正的CAS延遲時間則是2到2.5個執(zhí)行周期。RAS-to-CAS的時間則視技術而定，大約是5到7個周期，這也是延遲的基本因素。
CL設置較低的內存具備更高的優(yōu)勢，這可以從總的延遲時間來表現(xiàn)。內存總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統(tǒng)時鐘周期×CL模式數(shù)+存取時間（tAC）。首先來了解一下存取時間（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時的最大數(shù)輸入時鐘，是以納秒為單位的，與內存時鐘周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時間（tAC）代表著讀取、寫入的時間，而時鐘頻率則代表內存的速度。
舉個例子來計算一下總延遲時間，比如一條DDR333內存其存取時間為6ns，其內存時鐘周期為6ns（DDR內存時鐘周期＝1X2/內存頻率，DDR333內存頻率為333，則可計算出其時鐘周期為6ns）。我們在主板的BIOS中將其CL設置為2.5，則總的延遲時間＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL設置為2，那么總的延遲時間＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就減少了3ns的時間。
從總的延遲時間來看，CL值的大小起到了很關鍵的作用。所以對系統(tǒng)要求高和喜歡超頻的用戶通常喜歡購買CL值較低的內存。目前各內存顆粒廠商除了從提高內存時鐘頻率來提高DDR的性能之外，已經(jīng)考慮通過更進一步的降低CAS延遲時間來提高內存性能。不同類型內存的典型CL值并不相同，例如目前典型DDR的CL值為2.5或者2，而大部分DDR2 533的延遲參數(shù)都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以達到3。
不過，并不是說CL值越低性能就越好，因為其它的因素會影響這個數(shù)據(jù)。例如，新一代處理器的高速緩存較有效率，這表示處理器比較少地直接從內存讀取數(shù)據(jù)。再者，列的數(shù)據(jù)會比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發(fā)生幾率也大，讀取的時間也會增多。最后，有時會發(fā)生同時讀取大量數(shù)據(jù)的情形，在這種情形下，相鄰的內存數(shù)據(jù)會一次被讀取出來，CAS延遲時間只會發(fā)生一次。
選擇購買內存時，最好選擇同樣CL設置的內存，因為不同速度的內存混插在系統(tǒng)內，系統(tǒng)會以較慢的速度來運行，也就是當CL2.5和CL2的內存同時插在主機內，系統(tǒng)會自動讓兩條內存都工作在CL2.5狀態(tài)，造成資源浪費。
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