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什么是內(nèi)存類(lèi)型
指內(nèi)存所采用的內(nèi)存類(lèi)型,不同類(lèi)型的內(nèi)存?zhèn)鬏旑?lèi)型各有差異,在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面都有不同。目前市場(chǎng)中主要有的內(nèi)存類(lèi)型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三種,其中DDR SDRAM內(nèi)存占據(jù)了市場(chǎng)的主流,而SDRAM內(nèi)存規(guī)格已不再發(fā)展,處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場(chǎng)的主流,只有部分芯片組支持,而這些芯片組也逐漸退出了市場(chǎng),RDRAM前景并不被看好。
SDRAM:SDRAM,即Synchronous DRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),曾經(jīng)是PC電腦上最為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類(lèi)型,即便在今天SDRAM仍舊還在市場(chǎng)占有一席之地。既然是“同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”,那就代表著它的工作速度是與系統(tǒng)總線(xiàn)速度同步的。SDRAM內(nèi)存又分為PC66、PC100、PC133等不同規(guī)格,而規(guī)格后面的數(shù)字就代表著該內(nèi)存最大所能正常工作系統(tǒng)總線(xiàn)速度,比如PC100,那就說(shuō)明此內(nèi)存可以在系統(tǒng)總線(xiàn)為100MHz的電腦中同步工作。
與系統(tǒng)總線(xiàn)速度同步,也就是與系統(tǒng)時(shí)鐘同步,這樣就避免了不必要的等待周期,減少數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間。同步還使存儲(chǔ)控制器知道在哪一個(gè)時(shí)鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請(qǐng)求使用,因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開(kāi)始傳輸。SDRAM采用3.3伏工作電壓,168Pin的DIMM接口,帶寬為64位。SDRAM不僅應(yīng)用在內(nèi)存上,在顯存上也較為常見(jiàn)。
DDR SDRAM:嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR,部分初學(xué)者也?吹紻DR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě),是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠(chǎng)商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。
SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱(chēng)為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線(xiàn)頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。
與SDRAM相比:DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí),存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來(lái)精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來(lái)自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個(gè)針腳,主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。
DDR2 SDRAM內(nèi)存詳解
RDRAM:RDRAM(Rambus DRAM)是美國(guó)的RAMBUS公司開(kāi)發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同,它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時(shí),因?yàn)槠鋸氐赘淖兞藘?nèi)存的傳輸模式,無(wú)法保證與原有的制造工藝相兼容,而且內(nèi)存廠(chǎng)商要生產(chǎn)RDRAM還必須要加納一定專(zhuān)利費(fèi)用,再加上其本身制造成本,就導(dǎo)致了RDRAM從一問(wèn)世就高昂的價(jià)格讓普通用戶(hù)無(wú)法接收。而同時(shí)期的DDR則能以較低的價(jià)格,不錯(cuò)的性能,逐漸成為主流,雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持,但始終沒(méi)有成為主流。
RDRAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位寬是16位,遠(yuǎn)低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于二者,可以達(dá)到400MHz乃至更高。同樣也是在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),內(nèi)存帶寬能達(dá)到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行緩沖器的信息在寫(xiě)回存儲(chǔ)器后便不再保留,而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性,于是在進(jìn)行存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)時(shí),如行緩沖器中已經(jīng)有目標(biāo)數(shù)據(jù),則可利用,因而實(shí)現(xiàn)了高速訪(fǎng)問(wèn)。另外其可把數(shù)據(jù)集中起來(lái)以分組的形式傳送,所以只要最初用24個(gè)時(shí)鐘,以后便可每1時(shí)鐘讀出1個(gè)字節(jié)。一次訪(fǎng)問(wèn)所能讀出的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度可以達(dá)到256字節(jié)。
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