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銦組分不同的InGaN材料的光致發(fā)光特性
利用光致發(fā)光譜研究了不同組分銦鎵氮材料的光學(xué)特性.發(fā)現(xiàn)隨著溫度升高,2個(gè)樣品的主峰表現(xiàn)出一種行為:半高寬度(FWHM)增加時(shí),主峰位置紅移;半高寬度減少時(shí),主峰位置藍(lán)移.對(duì)所得數(shù)據(jù)進(jìn)行Arrhenius擬合,比較激活能得出結(jié)論:樣品B中的非輻射復(fù)合中心比樣品A中的易被激活;樣品B中的載流子逃逸效應(yīng)比樣品A中更為明顯.從而解釋了2個(gè)樣品發(fā)光效率不同的原因,為樣品的改良提供了理論依據(jù).
作 者: 鄭大宇 孫元平 王莉莉 張書明 楊輝 ZHENG Da-yu SUN Yuan-ping WANG Li-li ZHANG Shu-ming YANG Hui 作者單位: 鄭大宇,孫元平,ZHENG Da-yu,SUN Yuan-ping(煙臺(tái)大學(xué),光電信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院,山東,煙臺(tái),264005)王莉莉,張書明,楊輝,WANG Li-li,ZHANG Shu-ming,YANG Hui(中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京,100083)
刊 名: 煙臺(tái)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)與工程版) ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF YANTAI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE AND ENGINEERING EDITION) 年,卷(期): 2008 21(3) 分類號(hào): O469 關(guān)鍵詞: 銦鎵氮(InGaN) 光致發(fā)光 半高寬度 激活能【銦組分不同的InGaN材料的光致發(fā)光特性】相關(guān)文章:
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