X射線不同方向入射界面產(chǎn)生劑量增強(qiáng)的模擬研究

為了研究X射線入射方向?qū)�界面劑量增�?qiáng)的影響,通過建立一個典型的金/硅界面結(jié)構(gòu)模型,采用MCNP蒙卡計算程序計算50keV能量X射線以不同的方向入射界面時在規(guī)定的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的能量沉積,進(jìn)而得到劑量增強(qiáng)系數(shù).

作 者： 牟維兵 徐曦 MU Wei-bing XU Xi   作者單位： 中國工程物理研究院電子工程研究所,四川綿陽,621900  刊 名： 核電子學(xué)與探測技術(shù)  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2008 28(2)  分類號： O571.4 TN47  關(guān)鍵詞： X射線   金/硅界面   劑量增強(qiáng)  

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