含單負(fù)材料的光子晶體的缺陷模和透射譜

用傳輸矩陣法分析了由2類單負(fù)材料組成的含缺陷一維光子晶體的缺陷模及透射譜.結(jié)果表明:當(dāng)缺陷為一層單負(fù)材料時(shí),零有效相位帶隙中出現(xiàn)2個(gè)缺陷模,且缺陷模的頻率可通過(guò)缺陷層的厚度和2種單負(fù)材料的厚度比來(lái)調(diào)節(jié).當(dāng)缺陷為1組單負(fù)磁導(dǎo)率材料和單負(fù)介電材料組成的雙缺陷時(shí),通過(guò)選取合適的參數(shù)滿足平均磁導(dǎo)率和平均介電常數(shù)都為零時(shí),帶隙中未出現(xiàn)缺陷模,而且?guī)�寬保持不�?帶邊電場(chǎng)也隨著雙缺陷厚度的增加而被強(qiáng)烈的局域.

作 者： 黃永清 HUANG Yong-qing   作者單位： 江西中醫(yī)藥高等專科學(xué)校公共與社科部,江西,撫州,344000  刊 名： 江西科學(xué)  ISTIC 英文刊名： JIANGXI SCIENCE  年，卷(期)： 2009 27(6)  分類號(hào)： O431.1  關(guān)鍵詞： 光子晶體   單負(fù)材料   缺陷模   傳輸矩陣法  

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