FeSiB薄膜的巨磁阻抗和應(yīng)力阻抗效應(yīng)研究

軟磁材料中存在巨磁阻抗(giant magneto-impedance,GMI)效應(yīng)以及與之相同來(lái)源的應(yīng)力阻抗(stress-impedance,SI)效應(yīng),利用這兩種效應(yīng)可以制成具有高靈敏度的微型化的磁場(chǎng)和應(yīng)力-應(yīng)變傳感器.本文基于傳感器的實(shí)際應(yīng)用,對(duì)圖形化的、較大磁致伸縮的FeSiB單層和多層薄膜的巨磁阻抗和應(yīng)力阻抗效應(yīng)中頻率和退火的影響進(jìn)行了研究.結(jié)果表明,對(duì)于兩種效應(yīng),經(jīng)過(guò)退火處理的單層和多層膜均可在較低的頻率下得到較高的靈敏度,而多層膜中的應(yīng)力阻抗效應(yīng)將為新型高靈敏傳感器的設(shè)計(jì)和研制開(kāi)辟一條嶄新的途徑.

作 者： 茅昕輝 禹金強(qiáng) 周勇 吳茂松 蔡炳初   作者單位： 上海交通大學(xué)微納米科學(xué)技術(shù)研究院,薄膜與微細(xì)技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海,200030  刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(6)  分類號(hào)： O484.52 O484.4  關(guān)鍵詞： 巨磁阻抗   應(yīng)力阻抗   FeSiB   薄膜   多層膜  

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