ZnO薄膜制備及其發(fā)光特性研究

用射頻磁控反應(yīng)濺射法分別在未加熱和加熱的石英玻璃襯底上制備ZnO薄膜,在不同溫度下進(jìn)行退火處理,研究襯底溫度、退火條件對(duì)其結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響.通過(guò)對(duì)樣品的X射線(xiàn)衍射(XRD)、吸收光譜和光致發(fā)光(PL)光譜的測(cè)量結(jié)果表明,襯底溫度為230 ℃、退火溫度為400 ℃時(shí)樣品結(jié)晶性能最佳,并具有最強(qiáng)的紫外光發(fā)射(380 nm).

作 者： 王晶 張希清 梅增霞 黃世華 徐征   作者單位： 北方交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所,信息存儲(chǔ)、顯示與材料開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,北京,100044  刊 名： 光電子·激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER  年，卷(期)： 2002 13(11)  分類(lèi)號(hào)： O484  關(guān)鍵詞： ZnO薄膜   磁控濺射   光致發(fā)光(PL)  

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