雙曲正割平方勢與量子阱的電子躍遷

引入了雙曲正割平方勢來描述超晶格量子阱中的電子運動, 利用這個相互作用勢把電子的Schr?dinger方程化為了超幾何方程, 并以Ga1-xAlxAs/GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱為例計算了電子的帶間躍遷.結果表明,阱內(nèi)的能級數(shù)目和躍遷能量與系統(tǒng)參數(shù)有關.于是,可望通過對勢阱參數(shù)的控制來得到不同光電特性的量子阱材料.

作 者： 胡西多 羅詩裕 邵明珠 HU Xi-duo LUO Shi-yu SHAO Ming-zhu   作者單位： 東莞理工學院,電子工程系,廣東,東莞,523106  刊 名： 半導體光電  ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS  年，卷(期)： 2007 28(5)  分類號： O471.5  關鍵詞： 超晶格   量子阱   超幾何方程   單粒子能級  

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