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ZnGa2O4納米晶的制備和結(jié)構(gòu)表征

時(shí)間:2023-04-29 09:35:35 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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ZnGa2O4納米晶的制備和結(jié)構(gòu)表征

采用噴射共沉淀法制備了ZnGa2O4納米晶.XRD、SEM和TEM結(jié)構(gòu)分析結(jié)果表明,噴射共沉淀法制備的Zn-Ga2O4納米晶顆粒細(xì)小均勻,形狀完整.與化學(xué)共沉淀法相比,粒子尺寸明顯減小,小于10nm,同時(shí)ZnO雜相峰消失.分析了噴射共沉淀法的機(jī)理,并對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了解釋.

作 者: 焦正 劉錦淮 邊歷峰 錢逸泰   作者單位: 焦正,錢逸泰(中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)化學(xué)系,安徽,合肥,230061)

劉錦淮,邊歷峰(中國(guó)科學(xué)院合肥智能機(jī)械研究所,安徽,合肥,230031) 

刊 名: 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年,卷(期): 2002 33(6)  分類號(hào): O647.11  關(guān)鍵詞: 化學(xué)共沉淀   納米晶   ZnGa2O4  

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