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靜電場(chǎng)對(duì)硫酸鈣結(jié)晶的影響及計(jì)算機(jī)模擬
實(shí)驗(yàn)在水浴加熱和水浴加熱附加靜電場(chǎng)兩種條件下,對(duì)基本相同的結(jié)晶條件(溫升速率,過(guò)飽和度,水動(dòng)力學(xué)等)下得到硫酸鈣晶體利用掃描電鏡(SEM)進(jìn)行了表征和分析.分析結(jié)果顯示:在基本相同結(jié)晶條件下,水浴加熱附加靜電場(chǎng)與僅水浴加熱下生成的硫酸鈣晶體的形貌相比,有所增大.我們從水的內(nèi)能與結(jié)晶形貌的關(guān)系出發(fā),利用蒙特卡羅(MC)方法對(duì)靜電場(chǎng)作用下的結(jié)晶情況進(jìn)行了初步的分子模擬,解釋了這一特殊現(xiàn)象.該分析結(jié)果可用于指導(dǎo)水溶液中生長(zhǎng)晶體,外加一定強(qiáng)度的靜電場(chǎng)可能得到更大更完整的晶體.
作 者： 王照倫 楊曉慶 WANG Zhao-lun YANG Xiao-qing 作者單位： 四川大學(xué)電子信息學(xué)院,成都,610064 刊 名： 四川大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版） ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION) 年，卷(期)： 2007 44(5) 分類號(hào)： O74 TP3 關(guān)鍵詞： 靜電場(chǎng) 硫酸鈣晶體 形貌 蒙特卡羅方法【靜電場(chǎng)對(duì)硫酸鈣結(jié)晶的影響及計(jì)算機(jī)模擬】相關(guān)文章：
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