硅基底金納米粒子微陣列電極的制備及其電化學性質的研究-多孔硅電致發(fā)光生物傳感器研究的前期探索

用Frens法制備了不同粒徑的金納米粒子,并用透射電鏡、紫外可見分光光度法進行了表征.用自組裝技術得到了金膜電極表面的金納米粒子二維陣列電極,用掃描電鏡、電化學等方法對該微陣列電極進行了表征.結果表明,當金電極表面被自組裝膜完全覆蓋后,電化學反應不再發(fā)生,而將金納米粒子組裝到膜上以后,才得到電化學信號.我們認為,金納米粒子在這里對電荷的跨膜轉移有很強的促進作用.對于該過程的研究,有助于理解電荷的轉移機制,對進一步理解電荷隧穿過程有一定的指導意義.

作 者： 張波 張占軍 王斌 嚴捷 李經(jīng)建 蔡生民   作者單位： 北京大學化學與分子工程學院,  刊 名： 化學學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA CHIMICA SINICA  年，卷(期)： 2001 59(11)  分類號： O6  關鍵詞： 多孔硅   金納米粒子   微陣列電極   傳感器   自組裝  

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