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低軌道衛(wèi)星表面充電模擬
衛(wèi)星在太空運(yùn)行過(guò)程中,在周?chē)入x子體和光電效應(yīng)等綜合作用下,會(huì)帶上與周?chē)入x子體環(huán)境不同的懸浮電位,這個(gè)電位會(huì)影響星上測(cè)量載荷的測(cè)量精度和測(cè)量范圍.利用航天器與等離子體相互作用系統(tǒng)軟件SPIS,采用粒子分室法模擬了低軌道(710 km)衛(wèi)星的充電特性.結(jié)果表明,由于等離子體溫度低、濃度高,衛(wèi)星的充電電位較低(-0.719 V);而周?chē)牡入x子體環(huán)境受衛(wèi)星尾跡效應(yīng)的影響顯著.
作 者： 楊集 陳賢祥 夏善紅 YANG Ji CHEN Xian-xiang XIA Shan-hong 作者單位： 楊集,YANG Ji(中國(guó)科學(xué)院,電子學(xué)研究所,傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京,100080;中國(guó)科學(xué)院,研究生院,北京,100039)陳賢祥,夏善紅,CHEN Xian-xiang,XIA Shan-hong(中國(guó)科學(xué)院,電子學(xué)研究所,傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京,100080)
刊 名： 微納電子技術(shù) ISTIC PKU 英文刊名： MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2007 44(7) 分類(lèi)號(hào)： V1 關(guān)鍵詞： 表面充電 低軌道 尾跡效應(yīng)【低軌道衛(wèi)星表面充電模擬】相關(guān)文章：
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