空間電荷測(cè)量技術(shù)在衛(wèi)星內(nèi)帶電分析中的應(yīng)用

深層介質(zhì)帶電是引起衛(wèi)星運(yùn)行異常的重要原因.作為衛(wèi)星內(nèi)帶電分析研究的最有效手段之一,自20世紀(jì)70年代,空間電荷測(cè)量技術(shù)得到不斷發(fā)展和完善,測(cè)量分辨率達(dá)1μm量級(jí).電荷分布曲線(xiàn)得到的信息對(duì)介質(zhì)中帶電現(xiàn)象的理解得到了極大提高.介紹了空間電荷測(cè)量技術(shù)在衛(wèi)星內(nèi)帶電分析中的應(yīng)用及其發(fā)展趨勢(shì).

作 者： 馬亞莉 王立 秦曉剛 楊生勝 鄭曉泉 MA Ya-li WANG Li QIN Xiao-gang YANG Sheng-sheng ZHENG Xiao-quan   作者單位： 馬亞莉,秦曉剛,楊生勝,MA Ya-li,QIN Xiao-gang,YANG Sheng-sheng(蘭州物理研究所,真空低溫技術(shù)與物理國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,甘肅,蘭州,730000)

王立,WANG Li(沖國(guó)空間技術(shù)研究院研究發(fā)展部,北京,100086)

鄭曉泉,ZHENG Xiao-quan(西安交通大學(xué),電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,陜西,西安,710049) 

刊 名： 真空與低溫  ISTIC 英文刊名： VACUUM AND CRYOGENICS  年，卷(期)： 2007 13(2)  分類(lèi)號(hào)： V443  關(guān)鍵詞： 深層介質(zhì)帶電   空間電荷測(cè)量技術(shù)   電荷分布曲線(xiàn)  

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